Контракт 82463002263260002390000
Контракт
Цена контракта
391 129,56 ₽
Опубликован
01 июля 2026 г.
Заключён
01 июля 2026 г.
Начало исполнения
01 июля 2026 г.
Окончание исполнения
31 декабря 2026 г.
Стороны
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КРАСНОЯРСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
ИНН заказчика
2463002263
Регион
Красноярский край
Позиции контракта (4)
Подложка MgO (30 штук, ориентация (111), односторонняя эпиполировка (Ra<0.5 nm) , размер 10х10х0.5 мм)
ОКПД2 28.99.20.110 — Оборудование для эпитаксиального выращивания полупроводниковых структурКол-во: 30Цена: 5 130,1 ₽Сумма: 153 903 ₽ производительПодложка А12O3 ( 40 штук, ориентация (0001) , двусторонняя эпиполировка (Ra<0.2 nm), размер 10х10х0.2 мм)
ОКПД2 28.99.20.110 — Оборудование для эпитаксиального выращивания полупроводниковых структурКол-во: 40Цена: 3 430,64 ₽Сумма: 137 225,6 ₽ производительПодложка СаСO3 (2 штуки, ориентация (001), односторонняя полировка, (Ra<2 nm), размер 10х10х0.5 мм)
ОКПД2 28.99.20.110 — Оборудование для эпитаксиального выращивания полупроводниковых структурКол-во: 2Цена: 25 000,24 ₽Сумма: 50 000,48 ₽ производительПодложка 4H-SiC (2 штуки, ориентация (0001), n ~ 1016 cm-3 , двусторонняя эпиполировка, (Ra<0.5 nm), размер d50x0.5 мм)
ОКПД2 28.99.20.110 — Оборудование для эпитаксиального выращивания полупроводниковых структурКол-во: 2Цена: 25 000,24 ₽Сумма: 50 000,48 ₽ производитель
Товарная детализация позиций, история и выгрузка — в полной версии
Бесплатная регистрация открывает сохранённый фильтр и ежедневную рассылку новых закупок. История заказчика и поставщика, связанные извещение и ТЗ — на тарифе «Тендеры»; характеристики позиций (для товаров — производитель и страна) и цены по позициям — в отраслевом доступе.