Гетероэпитаксиальная структура для варикапных диодов на GaAs подложке
Электронный аукцион
Открыть в ЕИС (zakupki.gov.ru) →Условия закупки
Начальная (максимальная) цена
1 026 800 ₽
Лотов в закупке
1
Предмет (ОКПД2)
Обеспечение заявки
10 268 ₽ · 1% от НМЦК
Обеспечение контракта
51 340 ₽ · 5% от НМЦК
Место поставки
142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН
Электронная площадка
РОСЭЛТОРГ (АО«ЕЭТП»)
Заказчик
Наименование
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА ИМЕНИ Ю.А. ОСИПЬЯНА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
ИНН
5031003120
КПП
503101001
Адрес
142432, Московская обл, г Черноголовка, Московская обл, г Черноголовка, ул Академика Осипьяна, дом 2
Регион
Московская область
Федеральный округ
Центральный
Сроки
Опубликовано
14 октября 2026 г.
Начало подачи заявок
14 октября 2026 г.
Окончание подачи заявок
23 октября 2026 г.
Рассмотрение заявок
23 октября 2026 г.
Подведение итогов
23 октября 2026 г.
Окончание исполнения контракта
31 декабря 2026 г.
Обновлено
15 октября 2026 г.
Финансирование
Источник финансирования
Бюджет собственных средств организации
Оплата в текущем году
1 026 800 ₽
Объекты закупки (1)
Гетероэпитаксиальная структура для варикапных диодов на GaAs подложке
Результат закупки, количество и цены позиций — в полной версии
Бесплатная регистрация открывает сохранённый фильтр и ежедневную рассылку новых закупок. Победитель, цена контракта, снижение и участники — на тарифе «Тендеры»; количество и цены позиций закупки — в отраслевом доступе.
Ищете такие же закупки? Найдите активные извещения по этому предмету.
Найти похожие закупки